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面向sub-5 nm技术节点环绕式栅极场效应晶体管晶圆级制造的极紫外光刻及原子沉积与刻蚀关键制造工艺与装备
发布日期:2020-07-16 11:13|  来源:  

题目:面向sub-5 nm技术节点环绕式栅极场效应晶体管晶圆级制造的极紫外光刻及原子沉积与刻蚀关键制造工艺与装备

主讲嘉宾:罗锋教授(马德里高等纳米科学技术研究所)

讲座时间:2020年7月21日(周二)13:30

讲座地点:NBA买球正规网站310会议室

欢迎有兴趣的师生前来聆听!

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摘要:随着半导体微纳制备的工艺逐渐接近物理极限,极紫外光刻技术(EUVL)以其极高的分辨精度迅速成为领域内的研究重点。在EUVL系统基础上衍生出的一系列接近衍射极限的物理、化学问题阻碍半导体产业的发展。围绕这些问题,新的制备工艺、制造装备与生产方式应运而生,推动半导体微纳制备的继续发展。罗锋教授将就极紫外光刻技术的细节、微纳加工的方法与光刻、光刻胶技术的应用进行系统全面的介绍,为大家讲述半导体5 nm制程工艺节点的研发细节与进展。